科目名
(英訳)
半導体電子工学
Semiconductor Devices
標準履修年次 3 単位数 1.5
科目番号 開設曜時限 実施学期 担当教官名 研究室 電話
FF26001 (応用物理)木2春学期秋本克洋3M4075274
FF36001 (電子・量子工学)
FF46021 (物性工学)
FF56001 (物質・分子工学)

授業概要

エレクトロニクスの基礎を理解することを目的とする.半導体の基礎的性質を理解し,キャリアの伝導特性,ダイオードやトランジスタなどの半導体デバイスの動作原理と特性,作製プロセス技術について学ぶ.

授業内容

1.半導体の基礎的性質(結晶構造とエネルギーバンド構造,多数キャリアと少数キャリア,キャリア密度,半導体中の電気伝導) 
2.接合と障壁(pn接合の理想特性,空間電荷層の特性,金属-半導体接触の電気伝導)
3.半導体ダイオード(pn接合ダイオードの実際と応用)
4.バイポーラ・トランジスタ,電界効果トランジスタの動作原理と特性

成績評価規準

学期末に行う期末試験で判定する.

試験日程予定

正規に定められた期末試験の曜日・時間.

教科書

テキストを配布するが,以下の参考書も薦める.
S. M. Sze 著、南日康夫訳「半導体デバイス」(産業図書)
柴田直著「半導体デバイス入門」(昭晃堂)
中沢叡一郎編「光物性デバイス工学の基礎」(培風館)

学習上の注意

本講義内容は専攻実験の内容と関連する部分が多く,本講義で体系的に学んだ結果を専攻実験で実体験することができる.両者により総合的,効果的に学ぶことができる.

履修上の注意

本講義の理解に必要な最少限の固体物性,半導体物性の内容は本科目でカバーするが,本科目の他に固体物理学などの関連科目を並行して学習,履修することが望ましい.