科目名
(英訳)
表面・界面工学
Surface and Interface Engineering
標準履修年次 4 単位数 1.5
科目番号 開設曜時限 実施学期 担当教官名 研究室 電話
FF26141 (応用物理)水2春学期佐々木正洋3F7245331
FF36171 (電子・量子工学)
FF46151 (物性工学)
FF56191 (物質・分子工学)

授業概要

「ハイテク」と呼ばれるエレクトロニクス素子を実現するためには、固体表面および界面の高度な制御技術が求められる。本講義では、原子レベルで表面計測、界面制御を可能にする表面計測技術、エピタキシャル成長技術を通して表面界面工学の核心に迫る。
表面界面制御の基礎となる真空技術を紹介した後、表面の構造や物性をマクロ領域から原子スケール領域で計測するための各種表面計測法、さらに関連する基本過程である電子放出について解説する。界面制御の基礎になるのは表面の化学反応である。引き続いて、分子や原子の散乱、吸着、脱離を含む表面化学反応の概略を解説した後、界面制御の例としてエピタキシャル成長の実際を紹介する。

授業内容

 1.表面界面とは
 2.超高真空技術
 3.表面計測概観(プローブ粒子と表面の相互作用)
 4.表面構造(表面結晶学、表面緩和、再構成)
 5.表面構造の計測1(巨視的手法)
 6.表面構造の計測2(微視的手法)
 7.表面電子状態の計測
 8.仕事関数とその計測法
 9.電子放出(熱電子放出、電界電子放出)
 10.分子と気体の相互作用と吸着脱離
 11.表面化学反応
 12.界面制御の基礎
 13.バンドエンジニアリング
 14.結晶成長、エピタキシャル成長の基礎
 15.エピタキシャル成長の実際

成績評価規準

出席状況に配慮し、期末試験により評価する。

試験日程予定

原則、正規の試験日に実施する。

教科書

配布資料をもとに解説する。

学習上の注意

遅刻をすると理解できなくなるので、注意が必要である。

履修上の注意

量子力学I、固体物理学を履修しておくことが望ましい。